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IPW60R041C6數據表
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 77.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 37 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 290 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 481 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標名: CoolMOS
封裝: Tube
高度: 21.1 mm
長度: 16.13 mm
系列: CoolMOS C6
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.21 mm
商標: Infineon Technologies
下降時間: 7 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns
工廠包裝數量: 240
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 130 ns
典型接通延遲時間: 23 ns
零件號別名: IPW60R041C6FKSA1 IPW6R41C6XK SP000718886
單位重量: 38 g