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FDV303N數據表

制造商: ON Semiconductor

產品種類: MOSFET

RoHS:  詳細信息  

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-23-3

通道數量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V

Id-連續(xù)漏極電流: 680 mA

Rds On-漏源導通電阻: 450 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 8 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 350 mW

配置: Single

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.2 mm  

長度: 2.9 mm  

產品: MOSFET Small Signal  

系列: FDV303N  

晶體管類型: 1 N-Channel  

類型: MOSFET  

寬度: 1.3 mm  

商標: ON Semiconductor / Fairchild  

正向跨導 - 最小值: 1.45 S  

下降時間: 8.5 ns  

產品類型: MOSFET  

上升時間: 8.5 ns  

工廠包裝數量: 3000  

子類別: MOSFETs  

典型關閉延遲時間: 17 ns  

典型接通延遲時間: 3 ns  

零件號別名: FDV303N_NL  

單位重量: 8 mg